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La nueva tecnología MLE ™ de ECG ofrece una flexibilidad, escalabilidad y ventajas de costos insuperables sobre los procesos de litografía existentes para una producción de alto volumen
Source EV Group: EV Un desarrollador y fabricante líder de equipos para aplicaciones de unión de obleas y litografía en las industrias de semiconductores, microsistemas y nanotecnología, anunció hoy MLE ™ (Maskless Exposure), una revolucionaria tecnología de Litografía sin máscara de próxima generación diseñada para futuros requisitos de litografía final. Desarrollado para aplicaciones avanzadas de empaquetado, MEMS, biotecnología, médica y PCB de alta densidad.
Como la primera tecnología de litografía sin máscara altamente escalable del mundo para producción de gran volumen, MLE combina la estructuración de alta resolución con un rendimiento rápido y un alto rendimiento de producción. Al mismo tiempo, se eliminan los considerables costos generales generalmente asociados con las fotomáscaras, como la infraestructura necesaria para administrar y mantener las máscaras. Además, MLE ofrece una flexibilidad inigualable, permitiendo ciclos de desarrollo extremadamente cortos para nuevos dispositivos o productos.
La tecnología MLE es adecuada para todos los tamaños de obleas a través de paneles y es compatible con todas las resistencias disponibles en el mercado gracias a una configuración de cabezal de escritura agrupada altamente integrada y una potente fuente de UV que admite diferentes longitudes de onda.
El rendimiento de MLE es independiente de la complejidad y la resolución del sustrato o del diseño del chip, y la tecnología logra el mismo rendimiento de patrones con cualquier material de fotoprotección. MLE complementa los sistemas de litografía existentes de EVG, dirigidos a aplicaciones nuevas y futuras en las que otros enfoques de escalabilidad, costo de propiedad (CoO) y otras limitaciones están llegando a sus límites.
La tecnología MLE ya está lista para la demostración en las salas limpias de la sede de EVG. MLE se integrará en una nueva línea de productos EVG, que se encuentra actualmente en desarrollo y se anunciará en el próximo paso.
“Nuestra tecnología MLE se destaca en aplicaciones de litografía de back-end donde otras tecnologías de patrones, como p. Ej. Stepper debe comprometer el rendimiento y el costo. Los clientes ya no tendrán que equilibrar la resolución, la velocidad, la flexibilidad o el costo de propiedad de su back-end estructurando aplicaciones “, dijo Paul Lindner, Director Ejecutivo de Tecnología, Grupo EV. “Durante las primeras etapas de desarrollo con una clientela selecta, se hizo evidente que una gran variedad de aplicaciones podrían beneficiarse de MLE, y asumimos que se agregarán muchas nuevas áreas de aplicación. A medida que continuamos desarrollando los primeros productos basados en esto tecnología de exposición única, esperamos trabajar con socios de la industria adicionales para identificar nuevos dispositivos y aplicaciones que se beneficiarán de MLE “.
Nuevos retos para la litografía de back-end.
A medida que la integración heterogénea se convierte en la fuerza impulsora detrás de muchos desarrollos e innovaciones de semiconductores, que afectan a mercados como Advanced Packaging, MEMS y PCB, también aumentan las demandas de la litografía back-end. En el campo de Empaquetado avanzado, la resolución mínima requerida para la Capa de redistribución (RDL) y el Interposer con sus tamaños de estructura de línea / espacio en disminución constante se vuelve cada vez más estricta. En algunos casos, se apuntan hasta dos micrones o menos, mientras que las desviaciones en la colocación de la matriz y el uso de sustratos orgánicos rentables también requieren una mayor flexibilidad de diseño.
La demanda de mayor precisión de ajuste (superposición), así como una alta profundidad de campo en la estructuración de las paredes laterales verticales, también aumenta. Algunos de los criterios de la litografía de hoy y de mañana son algunos de los criterios de la litografía de hoy y de mañana: nuevos desafíos, como minimizar la distorsión del patrón, así como el desplazamiento individual de la matriz debido a la distorsión de la oblea en las aplicaciones de Empaque de nivel de oblea con abanico de salida (FoWLP, por sus siglas en inglés). Sistemas de embalaje avanzado.
En la producción de MEMS, con su compleja combinación de productos, los gastos generales para máscaras y retículas tienen un impacto creciente en el costo total (CoO), mientras que es muy importante centrarse muy bien en la estructuración de zanjas. En el mercado de las placas de circuitos impresos y en el sector de la biotecnología y la tecnología médica, la demanda de mayor flexibilidad en las estructuras está aumentando para permitir una amplia gama de características y tamaños de sustrato. Litografía sin máscara.
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